RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2340
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link