RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2866
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link