RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1986
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link