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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
101
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
101
读取速度,GB/s
13.3
12.1
写入速度,GB/s
8.3
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
1382
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
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