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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
比较
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.4
16.3
写入速度,GB/s
12.1
10.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3096
2795
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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