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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
15.4
写入速度,GB/s
8.0
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2854
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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