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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
15.3
写入速度,GB/s
2,404.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3090
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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