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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
14.3
17.1
写入速度,GB/s
10.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3014
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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