RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
3014
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link