RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3014
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link