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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
104
En -197% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3090
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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