RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
1843
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link