RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
58
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2523
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link