RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
58
En -32% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
44
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2523
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link