RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.3
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1769
1832
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link