RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3083
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link