RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2427
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link