RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
1897
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre 0000 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link