RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
2493
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link