RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
3075
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link