RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
69
Wokół strony -283% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
18
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
3564
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link