RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
17000
Wokół strony 1.38 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
23400
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2709
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link