RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1936
2062
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link