Porównanie pamięci RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Wynik ogólny

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 59

Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.0 9.7

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2283 2181

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns