RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
59
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
59
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2181
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link