Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    38 left arrow 59
    Por volta de 36% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.0 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.2 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 59
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.5 left arrow 17.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.0 left arrow 9.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2283 left arrow 2181
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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