RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3182
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link