RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2504
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link