RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сравнить
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
49
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
1,769.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
49
Скорость чтения, Гб/сек
4,482.7
10.7
Скорость записи, Гб/сек
1,769.9
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2504
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link