RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2575
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link