RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2575
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1866C11 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link