RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2575
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link