RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
3463
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link