RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
67
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1879
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link