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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
67
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
67
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1879
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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