RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2294
2336
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link