RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
4052
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link