RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3291
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link