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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
40
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
29
読み出し速度、GB/s
12.3
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.9
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
3291
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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