Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
star star star star star
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 40
    En -38% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.6 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 12.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1789 left arrow 3291
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones