RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3291
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link