RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
3814
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link