RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2298
2429
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link