RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2982
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link