RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3480
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link