RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2583
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link