RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3510
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link