RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3510
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link