RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3024
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link