RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3024
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link