RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
14200
Около 1.8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14200
25600
Other
Описание
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2558
3026
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Сравнения RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link