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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
7.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2583
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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